传统的氧化铝陶瓷基板导热率通常在 20–30 W/(m·K) 之间，在过去100G、400G光模块以及常规功率器件时代能够勉强支撑。然而，伴随芯片集成度跃升，热流密度呈指数级上升。氮化铝具有极高的导热率（理论极限可达 320 W/(m·K)，电子级量产通常在 170–230 W/(m·K)），加之其优异的绝缘性、低介电损耗，以及与单晶硅极其接近的热膨胀系数，使其成为当前高密度集成封装（高功率光模块、高端激光器、IGBT等）中不可替代的散热基材。

从材料学演进的底层逻辑来看，电子信息产业的每一次技术迭代，其本质都是在寻找“更高的传输速率”与“更极限的散热能力”之间的平衡。氮化铝（AlN）行业的爆发，绝非单一细分市场的短期炒作，而是由AI底层基础设施硬缺陷（热耗散）倒逼而成的材料替代史。