韩国总统李在明6月29日主持“三大超级项目”发布会，宣布三星电子与SK海力士将在韩国西南部各新建两座存储芯片工厂。

消息刺激半导体设备股大涨。周二，ASML在阿姆斯特丹收盘上涨6.8%，创下历史新高。在纽约，Applied Materials收涨约4%，KLA收涨8%。

逻辑很简单：韩国两大存储巨头四座新晶圆厂意味着大量光刻机、薄膜沉积设备和检测系统的采购需求，而这些设备的主要供应商正是ASML、Applied Materials和KLA。

此次涨势延续了半导体板块今年的强劲走势。费城半导体指数今年上半年近乎翻倍，第二季度涨幅超过86%，创下有记录以来最强季度表现。不过板块波动依然剧烈——上周该指数单周下跌7.9%，为4月初以来最差周表现，随后随着投资者重返人工智能基础设施相关标的而反弹。

Susquehanna分析师Mehdi Hosseini继续看好半导体，理由是行业需求持续走强。另有机构预测，到2028年全球晶圆制造设备年度支出规模将达2500亿美元。

韩国西南存储芯片新集群

此次投资计划的核心是在韩国西南部打造全新存储芯片集群，，总投资约800万亿韩元（约5180亿美元），目标五年内DRAM产能翻倍。三星与SK海力士各承建两座工厂，政府负责提供土地、电力和水利等基础设施配套。

与此同时，三星还于6月29日单独宣布了一项更长周期的国内投资计划：2026至2040年，在韩国国内累计投入2450万亿韩元，其中约2100万亿韩元用于半导体，占比76%。

高盛分析师Giuni Lee团队对此进行了拆解：

  • 1650万亿韩元用于现有晶圆厂及在建项目，包括将龙仁6号厂完工时间从2047年提前至2040年；

  • 400万亿韩元用于光州两座新晶圆厂，即西南集群的核心部分；

  • 56万亿韩元用于在忠清道新建HBM晶圆厂。

高盛认为，若假设三星国内资本支出与研发合计约占合并口径总额的80%，并以约6%的年均增速推算，2026至2040年累计国内支出约为2500万亿韩元，与官方公告数字基本吻合。高盛由此判断，"这一隐含的支出增速并不激进。"

产能翻倍，但实际增速远比数字温和

韩国存储厂商重申了到2030年DRAM晶圆产能近乎翻倍的目标，但美银证券分析师Simon Woo团队在6月29日至30日发布的研报中泼了一盆冷水。

翻倍听起来激进，但对应的年均复合增长率仅约15%。更关键的是，若将旧厂关闭和新一代存储芯片更长制造周期两个因素纳入考量，实际运行晶圆产能的年增速将低于10%，净晶圆增长率到2030年仅为个位数百分比复合增长率。

美银证券还指出，西南新集群远离首尔都市圈，基础设施投入量级更大，建设难度显著高于现有的平泽、龙仁等基地。该机构将其类比为台积电在台南的分散布局策略，认为这种远离核心区域的产能扩张需要更漫长的前置准备期。

综合基础设施建设（至少5年）与晶圆厂外壳建设及产能爬坡（额外3至4年），美银证券判断，新集群实现有意义的量产输出，最快也要在8至10年之后。

对于半导体设备板块而言，下一个关键节点是7月财报季。ASML定于7月15日公布业绩，台积电紧随其后于7月16日发布财报。投资者届时将重点关注两家公司对新建工厂资本支出的最新指引，这将直接影响设备需求预期。

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