人工智能芯片需要快速处理大量数据，并且为了以最佳方式访问这些数据，它们需要将数据存储在附近的高带宽内存 (HBM) 芯片上。
例如，Nvidia (NVDA -1.01%) 的新型 Rubin GPU 设计为使用多达 288 GB 的 HBM4，即第四代高带宽内存。这几乎是其前身架构 Blackwell 中使用的内存的三倍。竞争对手 Advanced Micro Devices (AMD -3.54%) MI400 系列加速器设计为使用高达 432 GB 的 HBM4。
由于这些不断增长的需求，整个内存市场都出现短缺，而纠正这一问题将需要整个半导体供应链的投资。 iShares Semiconductor ETF (SOXX -4.40%) 让投资者能够投资美光科技 (MU -7.24%)、推动 HBM 需求的芯片设计商以及帮助制造商扩大生产的设备供应商。
内存供应为何依然紧张
增加内存供应将要求该领域的少数主要参与者建立大型且复杂的新芯片代工厂 - 他们正在这样做。然而，其扩张速度受到建设时间长、技术工人短缺、许可要求以及额外能源基础设施需求的限制。美光管理层表示，预计 2027 年之后 DRAM 和 NAND 的供应仍将紧张。
目前，HBM 产量的增长可能会收紧更广泛的内存市场。与传统存储器相比，每一代新的 HBM 都需要更多的晶圆供应，这给非 HBM 的供应带来了额外的压力。扩大产量需要内存生产商投资更先进的制造和封装设备。
纳斯达克股票代码：SOXX
这些趋势有利于 iShares Semiconductor ETF 的成分股，该 ETF 近 21.4% 的资产属于 Lam Research、Applied Materials 和 KLA 等半导体制造设备制造商。 Lam Research 提供用于先进内存生产的蚀刻和沉积工具。应用材料公司提供 DRAM 制造和 HBM 封装设备。 KLA 的检测工具可帮助芯片制造商检测缺陷并提高产量。
捕捉更广泛的记忆机会
iShares Semiconductor ETF 还提供了对生产内存并推动其需求的公司的投资。该基金拥有 30 只股票，费用率为 0.34%。
截至 7 月 21 日，美光科技占 ETF 价值的 8.33%，使投资者能够直接投资 HBM、DRAM 和 NAND 内存市场。 Nvidia 和 Advanced Micro Devices 合计占据了该产品组合的另外 17%，并且他们正在增加人工智能加速器中嵌入的内存量。该ETF的其他主要持股，包括博通和台积电，为人工智能芯片生态系统提供了更广泛的投资机会。
然而，iShares Semiconductor ETF 远非纯粹的存储基金。它没有持有另外两家主要 HBM 供应商韩国 SK 海力士和三星电子的股份。截至 7 月 21 日，该 ETF 的前 10 名持股约占资产的 60.8%，使其比大市场 ETF 更加集中。
SOXX 现在值得买入吗？
iShares Semiconductor ETF 于 7 月 21 日收于 552.69 美元。能够进行部分 ETF 交易的投资者可以用 100 美元购买大约 0.18 股。
最近的半导体抛售改善了切入点，因为该 ETF 目前的交易价格比 6 月 22 日的峰值低约 16%。然而，该 ETF 在 2026 年仍大幅上涨，截至 7 月 21 日，其市盈率超过 66 倍。如果人工智能支出放缓、内存价格走软或新内存供应到达市场的速度快于预期，那么溢价估值会增加投资者的下行风险。
尽管存在这些风险，iShares Semiconductor ETF 提供了一种多元化的方式来投资整个人工智能内存供应链，而不是押注于单一内存生产商。能够容忍半导体波动性并计划持有数年的投资者可以考虑向该ETF投入100美元（或更多）。